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框架式断路器的额定电流比塑壳断路器要大很多。电子式断路器脱扣器的原理流程图电子式脱扣器中了微器，利用微器电子技术实现过载和短路电流的测量和保护。在和中，电流采样信号通过空心电流互感器即罗氏线圈(Rogowski，罗果夫斯基)获得。之所以采用空心电流互感器是为了避免在测量过载和短路电流时铁磁电流互感器磁通饱和效应。断路器的电压采集装置的作用是采集三相电流信息，用以实现欠电压和过电压保护。断路器的工作电源来自速保护电流互感器获取的能量。分压电阻损坏，分压不均造成某电容首先击穿，随后发生相关其他电容也击穿。电容 ，如外包绝缘损坏，外壳连到了不应有的电位上，电气连接处和焊接处 ，造成接触 发热而损坏。散热环境不好，使电容温升太高，日久而损坏。在更换电解电容时要有以下几点 ：更换滤波电解电容器选择与原来相同的型号，在一时不能获得相同的型号时，必须注意以下几点：耐压、漏电流、容量、外形尺寸、极性、方式应相同，并选用能承受较大纹波电流，长寿命的品种。NMOS的实物图和引脚分布如下图所示。什么是肖特基二极管肖特基二极管又叫势垒二极管，是由金属和半导体接触形成的二极管，其特点为：反向恢复时间非常短，为ns级别；正向导通压降非常低：为0.3-0.5V左右；漏电流较大、反向击穿电压比较低；通常用在低压关电源中，以肖特基二极管MBR30100为例，其实物图和结构图如下图所示。该肖特基二极管有三个电极，其中一个公共端是阴极，由两个二极管共阴极构成。关于场效应管的反向并接的二极管的问题?有些场效应管的规格书里原理图上标有一个稳压管符号，为了搞清楚其中的真正情况，我们抽取了几种有该二极管符号的样品进行检测试验，发现有以下两种情况：1.实际是本体的寄生二极管；2集成的肖特基二极管前一种情况，估计是文件时直接将其他文件中的图形复制过来所致。51系列单片机有5个中断源，其中有2个是外部输入中断源INT0和INT1。可由中断控制寄存器TCON的IT1（TCON.2）和IT0（TCON.1）分别控制外部输入中断1和中断0的中断触发方式。若为0，则外部输入中断控制为电平触发方式；若为1，则控制为边沿触发方式。这里是下降沿触发中断。问题的引出几乎国内所有的单片机对单片机边沿触发中断的响应时刻方面的定义都是不明确的或者是错误的。文献中关于边沿触发中断响应时刻的描述为“对于脉冲触发方式（即边沿触发方式）要检测两次电平，若前一次为高电平，后一次为低电平，则表示检测到了负跳变的有效中断请求信号”，但实际情况却并非如此。